半導體物理中,引入空穴的意義,半導體物理中輕空穴重空穴的物理本質是什麼,我不

2021-03-10 16:23:40 字數 3039 閱讀 5946

1樓:匿名使用者

空穴是一種虛擬粒bai子,實際上乙個空穴du的導電就zhi代表了許多價電子dao運動所產生的導電;版空穴的引入正權是為了使問題簡化,即把許多價電子的運動採用乙個空穴的運動來代替。

導帶電子是載流子,價帶電子——價電子不一定都是載流子;只有不滿帶中的許多價電子才能運動、並導電,這時採用少數空穴來代替之,顯然就簡單得多。

所以,一般就認為導帶電子和價帶空穴都是載流子,而價電子就不能簡單地認為是載流子。

參見中的有關說明。

2樓:匿名使用者

樓主說得對,導電行為是由電子的定向

運動引起的。半導體中不滿帶中有許多能級空位,在外回電場答

的作用下,這些空位會被附近的電子不斷填補,形成電流。因為這些空位數相對不滿帶中的電子數很少,便於分析,所以把它們看成是帶正電的空穴,這樣分析出的結果是等效的。這就好比把「許許多多的車通過某幾座橋梁」看成是「某幾座橋梁通過許許多多的車」 ,實際上都是由這些通過橋梁的車形成的車流.

3樓:

你理bai解錯了,半導體器件du中,不是一切的一切都是zhi電子的行為。

在p型半

dao導體中,專電行為是屬由空穴引導的,因為空穴是多數載流子。

在n型半導體中,電行為才是由電子引導的,因為電子是多數載流子,而空穴作為少數載流子,其壽命,也就是少子壽命是決定半導體器件效能的關鍵引數之一。

因此無論是p型還是n型半導體,空穴都扮演著至關重要的角色。

希望能幫到你!

半導體物理中輕空穴重空穴的物理本質是什麼,我不

4樓:

本徵載流子就是本徵半導體中的載流子,即電子和空穴,即不是由摻雜所產生出來內的載流子。也就是說,

容本徵載流子是由熱激發——本徵激發所產生出來的,即是價電子從價帶躍遷到導帶而產生出來的;它們是成對產生的,所以電子和空穴的濃度始終相等。   本徵半導體,從物理本質上來說,也就是兩種載流子數量相等、都對導電起同樣大小的半導體。因此,未摻雜的半導體是本徵半導體,但是摻有雜質的半導體在一定條件下也可能成為本徵半導體(只要兩種載流子的濃度相等)。

  對於摻有雜質的n型或p型半導體,其中的多數載流子主要就是由雜質電離所提供,而其中的少數載流子則是由本徵激發所產生的。因此,在雜質全電離情況下,多數載流子濃度基本上與溫度無關,但少數載流子則隨著溫度將指數式增大。

5樓:會飛的貓屁股

空穴的有bai效質量是乙個正du常數mp* ,它與價帶頂附近zhi空態dao

的電子有效質量mn*大小相版等,符權

號相反,即mp*=-mn*

按照半導體理論,計算出的孔穴有效質量 如取負號,則得到有效質量較大的空穴,稱為重空穴。 如取正號,則得到有效質量較小的空穴,稱為輕空穴。

phm 重空穴有效質量

plm 輕空穴有效質量

怎麼理解半導體物理中電子與空穴的簡併度g

6樓:

以下是個人觀點:p n 不敢理解可以換成別的 多子和少子是相對而言的例如鈉離子:na+ 原子比電子多1 所以空穴為多子

請問半導體物理中輕空穴重空穴的物理本質是什麼, 我不需要所謂的公式推導,只求直觀物理情景

7樓:匿名使用者

si和ge價帶頂位於布里淵區中心k=0處,並且價帶是簡併的(若乙個能級與一種以上的狀態相對應版,則權稱之為簡併能級,屬於同一能級的不同狀態的數目稱為該能級的簡併度)。由於能帶簡併,si和ge分別具有有效質量不同的兩種空穴,有效質量較大的(mp)h稱為重空穴,有效質量較小的(mp)l稱為輕空穴。

按照半導體理論,計算出的孔穴有效質量 如取負號,則得到有效質量較大的空穴,稱為重空穴。 如取正號,則得到有效質量較小的空穴,稱為輕空穴。

(mp)h 重空穴有效質量

(mp)l 輕空穴有效質量

半導體物理中的費公尺能級指誰的能級,電子的?空穴的?還是什麼。

8樓:匿名使用者

費公尺能級就是:假設把所有的電子都按照鮑利不相容原理等量子理論的限制,從低到高按能級依次填滿,最後乙個電子的能級就是費公尺能級。

9樓:

費公尺能級在半導體物理學中經常被認為是電子或空穴的化學勢,對於電子和空穴的運回動起著重答要的作用。在n型半導體中,電子濃度較高,因此費公尺能級越靠近電子佔據的導帶;p型半導體中,空穴濃度較高,因此費公尺能級越靠近空穴佔據的價帶。本徵半導體,處於**。

半導體物理中證明空穴電導有效質量

10樓:貝殼愛因斯坦

σ = e^2*τ(ph+pl)/mcp* = e^2*τ(ph)/mph*+e^2*τ(pl)/mpl* ---(1)

ph = a(kt)3/2(mph*)3/2, pl = a(kt)3/2(mpl*)3/2 ---(2)

將(2)帶入(1)式得:

1/mcp* = (mph*1/2+mpl*1/2)/(mph*3/2+mpl*3/2) ---(3)

由(3)得:

mcp* = (mph*3/2+mpl*3/2)/(mph*1/2+mpl*1/2)

11樓:潔之殤殤

你確定你的題目是正確的?

半導體物理學的問題

12樓:藍調異域

頭都看大了,半導體進行不同的摻雜會有不同特性,光電效應,磁電效應,壓電效應等等,矽,硒,鍺以及一些金屬氧化物都是半導體材料

13樓:kiss忘

這樣等於1張試卷,會做都不願做,積分至少給200才會有人解答啊

14樓:內江東興區互助

這道題的答案應該是,你要付出不低於100分的懸賞才會有人幫你解答。

15樓:匿名使用者

啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊 我快瘋了

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對於非簡併的n型半導體,如果把導帶中的所有可能被電子佔據的能級都歸併到導帶底 ec 這一條能量水平線上 設歸併到一起的能級的密度為nc 那麼電子佔據各條能級的機率就都將一樣 等於exp ec ef kt 於是就可直接寫出導帶電子的濃度與fermi能級的關係為no nc exp ec ef kt 當然...

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