1樓：立港娜娜
就是在四價的半導bai體內du加入導電的元素，比如在矽，zhi鍺中加入三價的硼dao或者五價的磷等
版來提高導電性，加權入的愈多，半導體材料的導電性越強。以加入的比例不同分為輕摻雜、中摻雜和重摻雜。
重摻雜的半導體中，摻雜物和半導體原子的濃度比約是千分之一，而輕摻雜則可能會到十億分之一的比例。
摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本徵半導體的能隙之間會出現不同的能階。施體原子會在靠近導帶的地方產生乙個新的能階，而受體原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。
假設摻雜硼原子進入矽，則因為硼的能階到矽的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠小於矽本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到矽裡的硼原子完全解離化。
2樓：答疑老度
就是在四
bai價的半導體內加入導du電的元素，比如zhi在矽，dao鍺中加入三價的硼回或者五價的磷等來提答高導電性，加入的愈多，半導體材料的導電性越強。以加入的比例不同分為輕摻雜、中摻雜和重摻雜。
輕摻雜和重摻雜一般同時出現在乙個器件裡的，因為輕重摻雜的費公尺能級不一樣，所以設計器件的時候有的時候把相同的半導體材料摻雜到不同的濃度實現功能。
3樓：墨汁諾
就是在四價的半導體內加入
導電的元素，比如在矽，鍺中加入三
價的硼或者
內五價的磷等來提高導電性，加入容的愈多，半導體材料的導電性越強。以加入的比例不同分為輕摻雜、中摻雜和重摻雜。
重摻指摻雜元素足以達到破壞原本徵材料能帶結構，對於n型摻雜，也就是費公尺能級進入或即將進入導帶，雜質能級與導帶中能級發生雜化。一般費公尺能級在導帶之下2kt時進入弱簡併，波爾茲曼分布不再適用，應該用費公尺分布，而且泡利不相容原理必須考慮。
摻雜濃度nd在10的19次方量級以上，已經超出導帶狀態密度nc，此時導帶底基本被電子填滿，會產生一系列效應比如bm漂移。
說有半導體的重摻雜，這個重有什麼標準麼，比如說摻雜濃度到那個量級
4樓：匿名使用者
不可以用玻爾茲曼分布描述的話就可以認為是重摻雜了
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