矽片清洗機使用注意事項以及應用範圍有哪些?

2025-05-26 00:30:15 字數 5312 閱讀 6720

1樓:匿名使用者

切記在空槽的狀況下不能開啟清洗器,以免損壞機器。

2.放/換清洗液時必須關斷電源。

3.除特殊定製機抗腐蝕機型外,禁止使用腐蝕性強和易燃的溶液作清洗液,以免腐蝕容器和發生危險。

4.清洗量以容積的1/2到2/3為佳。

5.機殼必須接地良好、可靠。

6.在正常情況下,清洗器連續工作一段時間後會自動公升溫,環境工作溫度不得高於45℃。清慧。

7.嚴禁將沸水直接注入槽內,以防因驟冷驟熱茄鉛導致換能器脫落。(水溫不得超過40℃)

8.保證機器乾燥的使用環境。不能開啟清洗器,以免損壞機器。

9.超聲波清洗機在工作乙個小時或3個小時,讓機器休息半個小時或乙個小時。

10.嚴禁導電液體(如水)進入通風口,否則會對答納答超聲波清洗機的線路系統造成嚴重損害。

11.注意保持超聲波清洗機的清潔,不使用時關掉電源。(可用幹抹布將機體擦乾淨)

12.避免對超聲波清洗機的碰撞或劇烈震動、遠離熱源。

矽片是如何和清洗的?

2樓:汶顥股份

1. 清洗矽片並準備掩膜:

1)濃h2so4/h2o2=3﹕1,15min(配1次洗液可以用1周;h2o2 30%);

2)開啟電熱板調至200℃;掩膜準備;

2. 超純水。

清洗矽片;註釋:用鑷子。

夾著矽片,不能使矽片放幹;

3. 無水乙醇。

清洗矽片,1min(搖動或超聲),不用水洗!

4. 丙酮。

清洗矽片,1min(搖動或超聲);

5. 超純水清洗;

6. 吸水紙吸取邊緣水分(勿放於吸水紙上);

7. 用鑷子夾住矽片,氮氣吹乾或者放在200℃電熱板上方(不能接觸),待徹底幹後,放在電熱板上5min;

如何清洗矽片

3樓:網友

矽片種類很多啊,有半導體的矽片,有太陽能級的矽片,單晶多晶的,清洗起來都有所差異的,但是清洗原理差不多的,主要藥劑都是酸鹼為主的。

清洗矽片的順序

4樓:王文林

物理清洗 物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒汙染和大多數粘在**上的薄膜。

高壓清洗:是用液體噴射**表面,噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用,**不易產生劃痕和損傷。

但高壓噴射會產生靜電作用,靠調節噴嘴到**的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗:超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉**上的汙染。

但是,從有圖形的**上除去小於 1微公尺顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段,清洗效果更好。 化學清洗 化學清洗是為了除去原子、離子不可見的汙染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗(硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等)和等離子體法等。

其中雙氧水體系清洗方法效果好,環境汙染小。一般方法是將矽片先用成分比為h2so4:h2o2=5:

1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去;用超純水沖洗後,再用成分比為h2o:

h2o2:nh4oh=5:2:

1或5:1:1或7:

2:1的鹼性清洗液清洗,由於h2o2的氧化作用和nh4oh的絡合作用,許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水;然後使用成分比為h2o:h2o2:

hcl=7:2:1或5:

2:1的酸性清洗液,由於h2o2的氧化作用和鹽酸的溶解,以及氯離子的絡合性,許多金屬生成溶於水的絡離子,從而達到清洗的目的。 放射示蹤原子分析和質譜分析表明,採用雙氧水體系清洗矽片效果最好,同時所用的全部化學試劑 h2o2、nh4oh、hcl能夠完全揮發掉。

用h2so4和h2o2清洗矽片時,在矽片表面會留下約2×1010原子每平方釐公尺的硫原子,用後一種酸性清洗液時可以完全被清除。用h2o2體系清洗矽片無殘留物,有害性小,也有利於工人健康和環境保護。矽片清洗中用各步清洗液處理後,都要用超純水徹底沖洗。

5樓:匿名使用者

吸附在矽片表面上的雜質可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子型雜質與矽片表面之間的吸附力較弱,清除這類雜質粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質,具有疏水性的特點,對於清除離子型和原子型雜質具有掩蔽作用。

因此在對矽片進行化學清洗時,首先應該把它們清除乾淨。離子型和原子型吸附的雜質屬於化學吸附雜質,其吸附力都較強。在一般情況下,原子型吸附雜質的量較小,因此在化學清洗時,先清除掉離子型吸附雜質,然後再清除殘存的離子型雜質及原子型雜質。

最後用高純去離子水將矽片衝冼乾淨,再加溫烘乾或甩幹就可得到潔淨表面的矽片。

綜上所述,清洗矽片的一般工藝程式為:去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。另外,為去除矽片表面的氧化層,常要增加乙個稀氫氟酸浸泡步驟。

矽片清洗

6樓:瀕危物種

顆粒粘附:空氣(超級淨化空氣)、人體(風淋吹掃、防護服、機械人)、裝置(特殊設計及材料定期清洗)、化學品(超淨化學品,去離子水)

去除方法:sc-1超聲清洗。

金屬宴仔猜玷汙:化學試劑,離子注入,反應離子刻蝕等工藝。

去除方法:使金屬原子氧化變成可溶性離子,sc-1,sc-2

有機物/光刻膠去除:spm,氧等離子戚者體刻蝕。

rca——標準清洗(常用在cvd沉積前清洗和不必去除自然氧化物的清洗工藝):

sc-1(鹼性)去除顆粒、有機物,重金屬。

sc-2(酸性)去除鹼金屬離子,殘留金屬。

若要清洗有機物或者光刻膠,則改良後的rca清洗。

濺射金屬前清洗。

常用方法:a工藝:spm+sc1+sc2

b工藝:spm+dhf+sc1+sc2

c工藝:dhf+sc1+sc2

rca工藝:sc1+sc2

spm:spm

hf工藝:spm+hf

矽片表面有油脂、松香、蠟等有機物,可用有機溶劑清晌型洗。(如丙酮、乙醇)

hf/h20蒸汽清洗技術。

紫外線/臭氧乾洗技術。

ar等離子體幹法技術。

總結:顆粒:sc1(apm)、機械。

有機:spm、sc1(apm) 、有機溶劑(丙酮溶劑)

金屬:sc1(apm)、sc2(hpm)

氧化層:dhf、bhf、fpm

標準清洗流程:

金屬濺射前清洗(清除接觸孔殘留)

包含有機物的rca清洗 a

包含有機物氧化層rca清洗 b

包含氧化層rca清洗 c

spm(三號液)=h2so4(98%)+h2o2(30%) 4:1

120~150度清洗10min左右。

dhf=hf:h2o2 1:50 20~25度清洗30秒左右。

apm(一號液)=nh4oh(27%)+h2o2(30%)+h2o 1:1:5或:1:5 65~80度清洗10min

hpm(二號液)=hcl(37%)+h2o2(30%)+h2o 1:1:6~2:1:8

65~85度清洗10min

請問矽片清洗劑有什麼危害?

7樓:

摘要。親愛的,矽片清洗劑危害的話,有點腐蝕性的,不要與**直接接觸,一般沒多大事的。

親愛的,矽片清洗劑危害的話,有點腐蝕性的,不要與**直接接觸,一般沒多大事的。

親愛的,矽片清洗劑廣泛應用於光伏,電子慎模等行業矽片清洗;由於矽物孝拿片在運輸過程中會有所汙染,表面潔淨度不是很高,對即將進行的腐蝕與刻蝕產生很大的影響,所以首先要對矽片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾汙,然後溶解氧化膜,因為氧化層是「沾汙陷進」,會引起外延缺陷;再去除顆粒、金屬等,同時使矽片的表面罩搭鈍化。

親愛的,一般來說,只要接觸**,或者就算是接觸皮慎巖膚橡老的量比較少,這些都是正常的梁孝公升,沒有什麼問題,清洗掉就可以。

如何清洗矽片

8樓:匿名使用者

清洗方法。

一)rca清洗:

rca 由werner kern 於1965年在 的rca 實驗室首創, 並由此得名。rca 清洗是一種典型的溼式化學清洗。rca 清洗主要用於清除有機表**、粒子和金屬沾汙。

1、顆粒的清洗。

矽片表面的顆粒去除主要用apm ( 也稱為sc1) 清洗液(nh4oh + h2o2 + h2o) 來清洗。在apm 清洗液中,由於h2o2的作用,矽片表面有一層自然氧化膜(sio2) ,呈親水性, 矽片表面和粒子之間可用清洗液浸透, 矽片表面的自然氧化膜和矽被nh4oh 腐蝕,矽片表面的粒子便落入清洗液中。粒子的去除率與矽片表面的腐蝕量有關, 為去除粒子,必須進行一定量的腐蝕。

在清洗液中, 由於矽片表面的電位為負, 與大部分粒子間都存在排斥力, 防止了粒子向矽片表面吸附。

表2常用的化學清洗溶液。

2、表面金屬的清洗。

1) hpm (sc22) 清洗 (2) dhf清洗。

矽片表面的金屬沾汙有兩種吸附和脫附機制: (1) 具有比矽的負電性高的金屬如cu ,ag , au , 從矽表面奪取電子在矽表面直接形成化學鍵。具有較高的氧化還原電位的溶液能從這些金屬獲得電子, 從而導致金屬以離子化的形式溶解在溶液中, 使這種型別的金屬從矽片表面移開。

2) 具有比矽的負電性低的金屬, 如fe , ni ,cr , al , ca , na , k能很容易地在溶液中離子化並沉積在矽片表面的自然氧化膜或化學氧化膜上。這些金屬在稀hf 溶液中能隨自然氧化膜或化學氧化膜容易地除去。

3、有機物的清洗。

矽片表面有機物的去除常用的清洗液是 具有很高的氧化能力, 可將金屬氧化後溶於溶液中, 並能把有機物氧化生成co2 和水。spm 清洗矽片可去除矽片表面的重有機沾汙和部分金屬,但是當有機物沾汙較重時會使有機物碳化而難以去除。經spm 清洗後, 矽片表面會殘留有硫化物,這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。

二)氣相干洗。

氣相干洗是在常壓下使用hf 氣體控制系統的溼度。先低速旋轉**, 再高速使**乾燥, hf 蒸氣對由清洗引起的化學氧化膜的存在的工藝過程是主要的清洗方法。另一種方法是在負壓下使hf 揮發成霧。

低壓對清洗作用控制良好,可揮發反應的副產品, 乾片效果比常壓下好。並且採用兩次負壓過程的揮發, 可用於清洗較深的結構圖形, 如對溝槽的清洗。

矽片如何用超聲波清洗裝置進行清洗?

9樓:固特超聲

cpu就主要是應用矽片,所以說矽片屬於重要的電子材料和裝置。容易積累灰塵汙垢。而灰塵和靜電都是導致矽片損壞甚至是短路報廢的重要誘因。所以進行高精度的徹底清洗就尤為重要。

而超聲波獨具的空化清洗模式完全滿足矽片的高精度清洗要求,且清洗時間短,機械式操作簡單,可以進行大批量清洗。是矽片清洗的不二選擇。

操作要點是在清洗內槽倒入足夠的清洗液,沒過矽片但不要溢位內槽。然後開機清洗即可。

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