光的折射率與電容率 磁導率的關係

2021-08-16 13:09:04 字數 5676 閱讀 2605

1樓:普羅旺斯守望

磁導率   英文名稱:magnetic permeability   表徵磁介質磁性的物理量。常用符號μ表示,μ為介質的磁導率,或稱絕對磁導率[1]。

  μ等於磁介質中磁感應強度b與磁場強度h之比,即通常使用的是磁介質的相對磁導率μr ,其定義為磁導率μ與真空磁導率μ0之比,即   μ=b/h   相對磁導率μ與磁化率χ的關係是   磁導率μ,相對磁導率μr和磁化率xm都是描述磁介質磁性的物理量。   對於順磁質μr>1;對於抗磁質μr<1,但兩者的μr都與1相差無幾 。在鐵磁質中,b與 h 的關係是非線性的磁滯迴線,μr不是常量,與h有關,其數值遠大於1。

  例如,如果空氣(非磁性材料)的磁導率是1,則鐵氧體的磁導率為10,000,即當比較時,以通過磁性材料的磁通密度是10,000倍。   涉及磁導率的公式:   磁場的能量密度=b^2/2μ    在國際單位制(si)中,相對磁導率μr是無量綱的純數,磁導率μ的單位是亨利/公尺(h/m)。

常用的真空磁導率

編輯本段常用引數式

(1)初始磁導率μi:是指基本磁化曲線當h→0時的磁導率    公式

(2)最大磁導率μm:在基本磁化曲線初始段以後,隨著h的增大,斜率μ=b/h逐漸增大,到某一磁場強度下(hm),磁密度達到最大值(bm) ,即 公式

(3)飽和磁導率μs:基本磁化曲線飽和段的磁導率,μs值一般很小,深度飽和時,μs=μo。   (4)差分(增量)磁導率μδ∶μδ=△b/△h。

δb及△h是在(b1,h1)點所取的增量如圖1和圖2所示。   (5)微分磁導率,μd∶μd=db /dh,在(b1,h1)點取微分,可得μd。   可知:

μ1=b1/h1,μ△=△b /ah,μd=db1/dh1,三者雖是在同一點上的磁導率,但在數值上是不相等的。   非磁性材料(如鋁、木材、玻璃、自由空間)b與h之比為乙個常數,用μ。來表示非磁性材料的的磁導率,即μ。

=1(在cgs單位制中)或 μ。=4πx10o-7(在rmks單位制中)。   在眾多的材料中,如果自由空間(真空)的μo=1,那麼比1略大的材料稱為順磁性材料(如白金、空氣等);比1略小的材料,稱為反磁性 材料(如銀、銅、水等)。

本章介紹的磁性元件μ》1是大有用處的。只有在需要磁遮蔽時,才會用銅等反磁性材料做成遮蔽罩使磁元件的磁 不會輻射到空間中去。   下面給出幾個常用的引數式:

   公式

(1)有效磁導率μro。在用電感l形成閉合磁路中(漏磁可以忽略),磁心的有效磁導率為:   式中 l——繞組的自感量(mh);   w——繞組匝數;   磁心常數,是磁路長度lm與磁心截面積ae的比值(mm).   (2)飽和磁感應強度bs。

隨著磁心中磁場強度h的增加,磁感應強度出現飽和時的b值,稱為飽和磁感應強度b,。   (3)剩餘磁感應強度bs。磁心從磁飽和狀態去除磁場後,剩餘的磁感應強度(或稱殘留磁通密度)。

  (4)矯頑力hco。磁心從飽和狀態去除磁場後,繼續反向磁化,直至磁感應強度減小到零,此時的磁場強度稱為矯頑力(或保磁力)。    公式

(5)溫度係數aμ°溫度係數為溫度在t1~t2範圍內變化時,每變化1℃相應磁導率的相對變化量,即   式中 μr1——溫度為t1時的磁導率;   μr2——溫度為t2時的磁導率。   值得注意的是:除了磁導率μ與溫度有關係之外,飽和磁感應強度bs、剩餘磁感應強度br、矯頑力hs,以及磁心比損耗(單位重量損耗w/kg)等磁引數,也都與磁心的工作溫度有

2樓:

不會電容率、磁導率是本身屬性,不會變

同等顏色光在不同介質,波長和速度是不同的。

3樓:再現

我只能在普通物理範圍內解釋:對於一些介質,ε和μ與電磁破的頻率有關,於是n是頻率的函式,v也隨頻率變化,從而導致了電磁波的色散現象。光是電磁波。

4樓:匿名使用者

兄弟,你需要多看點書啊~

你說的公式是真空的, 其速度的公式是c^2=1/(ε0εrμ0μr)其中εr,μr是相對介電常數,相對磁導率.

由於真空中 εr=1 μr =1 所以真空中的速度 c^2=1/(ε0μ0)

然後我們在來看不同介質中的, 由於能傳導光的介質一般 μr =1, 另外 n=c/v = (εrμr)^(1/2)

所以結合上面的公式 n^2=1/εr

現在明白了嗎?

5樓:鍵v盤v俠

不同顏色的光在真空中的傳輸速度才一樣,在介質中是不一樣的,就像你說的v=c/n。

介質電容率磁導率是固定的 跟光的頻率沒有半毛錢關係。。。

6樓:

.............................

7樓:

n=c/v ;μ。=1/(c^2ε。);ε=εrε。

所有頻率的電磁波在真空中速度相同,在介質中不同,波長越長速度越快折射率越小。

真空中電容率ε。是一常數,與電磁波的頻率無關,介質中的是εrε。與介質本身有關與頻率無關。

真空中的磁導率同理。

現在,光速已成為長度單位的標準,是定義值299792458m/s,不需再測。通過電磁理論可以匯出乙個計算光速的公式:1/光速的平方=真空介電常數*真空磁導率。

不過實際上是先知道光速,再用這個公式計算出真空介電常數的。

公式中的光速是真空中的光速,由最上面的第二個式子就能得出這個公式。

希望這些對你有幫助。

折射率和光頻率的關係

8樓:清茶半盞

在對可見光為透明的媒質內,折射率常隨波長的減小而增大,所以射率常隨頻率的公升高而增大,即紅光的折射率最小,紫光的折射率最大。

折射率,光在真空中的傳播速度與光在該介質中的傳播速度之比率。材料的折射率越高,使入射光發生折射的能力越強。折射率越高,鏡片越薄,即鏡片中心厚度相同,相同度數同種材料,折射率高的比折射率低的鏡片邊緣更薄。

折射率與介質的電磁性質密切相關。根據經典電磁理論,εr和μr分別為介質的相對電容率和相對磁導率。折射率還與頻率有關,稱色散現象。

光由相對光密介質射向相對光疏介質,且入射角大於臨界角,即可發生全反射。

光頻(optical frequency,光頻率)是光頻率的簡稱。絕對頻率測量是指直接以銫原子基準頻率為依據的頻率測量。光在真空中的波長λ和頻率ν的乘積等於它在真空中的傳播速度c,即λν=c=299792458 (m/s)。

9樓:我是足人李嘉威

折射率和光頻率的關係如下:

折射率,光在真空中的傳播速度與光在該介質中的傳播速度之比率。材料的折射率越高,使入射光發生折射的能力越強。折射率越高,鏡片越薄,即鏡片中心厚度相同,相同度數同種材料,折射率高的比折射率低的鏡片邊緣更薄。

折射率與介質的電磁性質密切相關。根據經典電磁理論,εr和μr分別為介質的相對電容率和相對磁導率。折射率還與頻率有關,稱色散現象。

光由相對光密介質射向相對光疏介質,且入射角大於臨界角,即可發生全反射。

光頻(optical frequency,光頻率)是光頻率的簡稱。絕對頻率測量是指直接以銫原子基準頻率為依據的頻率測量。光在真空中的波長λ和頻率ν的乘積等於它在真空中的傳播速度c,即λν=c=299792458 (m/s)。

光的頻率比銫原子基準頻率高4個數量級左右,它們之間很難直接進行比較,因此光頻測量的一般方法是:採用由中介雷射器(如甲醇雷射器、二氧化碳雷射器、色心雷射器等)、內插鎖相微波源和非線性諧波混頻器(如肖特基二極體、約瑟夫遜結、金屬-氧化物-金屬二極體、非線性光學晶體等)組成的頻率鏈,將銫原子基準頻率逐級倍頻到紅外和可見光區,然後通過差頻計數的方法來求得光的頻率。例如,對3.

39微公尺甲烷吸收穩頻的氦氖雷射器進行頻率測量時(見圖),其測量不確定度為3×10-11。已知f0、測出墹f1、墹f2和墹f3後,即可求得f3。

10樓:匿名使用者

同一種介質,頻率大,折射率大

11樓:匿名使用者

[絕對折射率]光從真空射入介質發生折射時,入射角i與折射角r的正弦之比n叫做介質的「絕對折射率[1]」,簡稱「折射率」。它表示光在介質中傳播時,介質對光的一種特徵。紫光頻率最大,波長最小.

紅光頻率最小,波長最大.同一種介質下,紅光折射率最小,紫光最大,樓上說的正確.但是折射率是介質的性質,只有在同乙個介質中比較2種光才可以有可比性

vr裡面的折射與折射率是什麼關係? 5

12樓:小灰馬

菲涅爾效應就是透明的物體比如說水,在距離攝像機近的地方折射》反射,在距離攝像機遠的地方反射》折射;實際上就是反射強度會隨距離衰減,衰減的強度由折射率控制。

折射裡的折射率:光在空氣中的速度與光在該材料中的速度之比率。材料的折射率越高,使入射光發生折射的能力越強。

折射率越高,鏡片越薄,即鏡片中心厚度相同,相同度數同種材料,折射率高的比折射率低的鏡片邊緣更薄。折射率與介質的電磁性質密切相關。

根據電磁理論,εr和μr分別為介質的相對電容率和相對磁導率。折射率還與波長有關,稱色散現象。光由相對光密介質射向相對光疏介質。且入射角大於臨界角。即可發生全反射。

折射率的影響因素

13樓:稻子

兩種介質進行比較時,折射率較大的稱光密介質,折射率較小的稱光疏介質。折射率與介質的電磁性質密切相關。根據經典電動力學,和分別為介質的相對電容率和相對磁導率。

折射率還與波長有關,稱色散現象。手冊中提供的折射率資料是對某一特定波長而言的(通常是對鈉黃光,波長為5893å)。氣體折射率還與溫度和壓強有關。

空氣折射率對各種頻率的光都非常接近於1,例如空氣在20℃,760mmhg時的折射率為1.00027。在工程光學中常把空氣折射率當作1,而其他介質的折射率就是對空氣的相對折射率。

影響介質折射率的因素主要有以下幾個方面。 根據麥克斯韋電磁場理論,光在介質中的傳播速度應為,由此可得:。其中c為真空中的光速,μ為介質的磁導率,ε 為介質的介電常數,為真空中磁導率,為真空中介電常數,為介質的相對磁導率,為介質的相對介電常數。

在無機材料這樣的電介質中,故有。說明介質的折射率隨其介電常數的增大而增大。而介電常數則與介質極化有關。

由於光(電磁輻射)和原子內部電子體系的相互作用,光速被減慢了。

當離子半徑增大時,其介電常數也增大,因而n也隨之增大。因此,可以用大離子得到高折射率的材料。如硫化鉛的n=3.

912,用小離子得到低折射率的材料,如四氯化矽的n=1.412。 折射率還和離子的排列密切相關,各向同性的光學材料,如非晶態(無定型體)和立方晶體時,只有乙個折射率 。

而光進入非均質介質時,一般都要分為振動方向相互垂直、傳播速度不等的兩個波,它們分別有兩條折射光線,構成所謂的雙折射。這兩條折射光線,平行於入射面的光線的折射率,稱為常光折射率 ,不論入射光的入射角如何變化,它始終為一常數,服從折射定律。另一條垂直於入射面的光線所構成的折射率,隨入射光的方向而變化,稱為非常光折射率 ,它不遵守折射定律。

當光沿晶體光軸方向入射時,只有 存在,與光軸方向垂直入射時, 達最大值,此值為材料的特性。

綜上所述,沿著晶體密堆積程度較大的方向 較大。 有內應力的透明材料,垂直於受拉主應力方向的n較大,平行於受拉主應力方向的n 較小(請讀者仔細地想一想,為什麼?)。

總體來說,材料中粒子越緻密,折射率越大。 在同質異構材料中,高溫時的晶型折射率較低,低溫時存在的晶型折射率較高。例如,常溫下,石英玻璃的n=1.

46 ,石英晶體的n=1.55 ;高溫時的鱗石英的n=1.47 ;方石英的n=1.

49 ,至於說普通鈉鈣矽酸鹽玻璃的n=1.51 ,它比石英的折射率小。提高玻璃折射率的有效措施是摻入鉛和鋇的氧化物。

例如,含90%(體積)氧化鉛的鉛玻璃n=2.1 。

關於物理折射率和頻率的關係折射率和光頻率的關係

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光的頻率,速度,波長,折射率之間的關係。謝謝

光速 c是定值。3 10 8m s c f 是波長。f是頻率。頻率與波長成反比內,頻率 波長 波速容 折射率 光在介質1中的速度為v1,介質2中的速度為v2,光從介質1射入介質2,折射率為 n v1 v2 sin 1 sin 2 其中,1是入射角,2 是折射角 在介質中,光的頻率。波長。波速,折射率...