高一必修二的化學問題,高一化學問題

2021-03-10 20:21:43 字數 2574 閱讀 4945

1樓:視嘢已無變吪

分子間作用力:因為原子是由原子核和圍繞原子核運動的電子組成 其二者具有帶電性 就像你所學的異性相吸 同性相斥 大概這就是分子間作用力

是的 每乙個分子都有分子間作用力

2樓:幹閼田

石墨是混合晶體

bai,它有原子晶du體,分子

晶體,金屬zhi晶體的特點。首dao先,它由多層組回成,像乙個個分子答,有分子間作用力。其次,它每層的碳都和3個碳相連,就像原子晶體。

最後,碳有四根鍵,確只連三個碳,所以他有自由移動的電子,就像金屬。

3樓:匿名使用者

石墨的確是層狀結構,確切的說,石墨是介於分子晶體與原子晶體之間的一回種比較特殊的結構。在每答一層中,原子之間是以共價鍵結合為正六邊形(每個原子與相鄰的原子形成三個鍵,還剩乙個原子形成pai鍵,在乙個層上流動)。所以在層與層之間沒有形成化學鍵,靠分子間作用力吸引在一起。

金剛石和矽化物是每個原子與周圍四個原子形成共價鍵。這個是空間無限延伸的,不想像石墨有層狀結構,所以不存在分子間作用力。

4樓:匿名使用者

67iuyuyuiyu

5樓:小禾

石墨屬於過渡型晶體(或稱混合型晶體),層與層之間以分子間作用專力連線,而同一屬層內各原子間以共價鍵結合,所以既存在共價鍵,又存在分子間作用力。

金剛石和矽化物質地堅硬,結構穩定,它們屬於原子晶體,通過原子間的共價鍵相互結合,不存在分子間作用力。

判斷晶體型別的依據有4點:

1,看構成晶體的微粒種類及微粒間的相互作用2,看物質的物理性質,如熔沸點,硬度

3,依據導電性判斷

4,依據和機械效能判斷

大致就是這些,希望對你有所幫助。

6樓:d之右眼

石墨中,c是由sp2軌道雜化形成

的,故而c--c之間形成空間只能是在同一平面內那麼每層

專c形成無數個正六邊屬形,而每個c上還有垂直於該平面的p軌道單點子,同一層中,c拿出p軌道電子進行共軛,在每一層中,形成共軛體系。而由於每層之間的大∏鍵,靠分子間作用力作用結合

由於其石墨這種特殊的晶體結構,表現了晶體的各向異性,石墨若通過同一面上導電,在大∏鍵作用,可以使c的p軌道電子自由移動,使其表現的電阻很小,但若從垂直的面上通電的話,表現的電阻很大了啦,電子無法穿過面去移動的

而,金剛石,矽化物,是以其sp3軌道雜化的,形成的是空間正四面體結構單元,那麼使得其本身就在空間各方向延伸開來,原子間全是sp3--sp3的共價鍵結合,故無法存在分子間作用裡。。

分子間作用力是分子間,或分子簇狀物間,或分子層間所形成的作用力

高中化學問題:

7樓:蘇小小小小

2al+6hcl=2alcl3+3h2

2al+2naoh+2h2o=2alo2^-+3h2

所以:1、如果酸鹼都足量,則產生的氣體一樣多,很明顯有乙個或兩個反應中的鋁沒有完全反應.

2、酸、鹼的量相等,假設鹼的量恰好能完全反應掉鋁,即鹼的物質的量與鋁相等

令鋁的物質的量為2mol 則鹼的物質的量也為2mol,酸的物質的量也為2mol

2al+6hcl=2alcl3+3h2

2 mol  2mol           1mol

2al+ 2naoh+2h2o=2alo2-+3h2

2mol  2mol                               3mol

則產生的氫氣量之比應該為1:3,而實際上是介於1:1和1:3 之間,則酸中產生的氣體大於1mol,即酸的量應該大於2mol(即鹼的量也大於2mol),故與鹼反應中鹼應該是過量的

高一化學問題

8樓:楓00雪

鈍化是bai指固體表面反應

du形成了一層薄膜zhi阻止反應的進一步發dao生,去掉薄膜後反應會繼回

續。例如鋁金答屬在空氣中或者濃流酸中發生氧化反應生成三氧化二鋁薄膜附著在鋁上就會阻止反應。因此許多鋼鐵表面鍍一層鋁來減緩腐蝕速度。

9樓:格萊福機械裝置

純鐵、鋁遇到濃硫酸或濃硝酸時,表面的原子與酸發生反應,產生一層緻密的氧化膜,阻止了內部的專物質屬與濃酸繼續反應,起到保護作用.這就叫鈍化.

鈍化優點

1)與傳統的物理封閉法相比,鈍化處理後具有絕對不增加工件厚度和改變顏色的特點、提高了產品的精密度和附加值,使操作更方便;

2)由於鈍化的過程屬於無反應狀態進行,鈍化劑可反覆新增使用,因此壽命更長、成本更經濟。

3)鈍化促使金屬表面形成的氧分子結構鈍化膜、膜層緻密、效能穩定,並且在空氣中同時具有自行修復作用,因此與傳統的塗防鏽油的方法相比,鈍化形成的鈍化膜更穩定、更具耐蝕性。

在氧化層中大部分的電荷效應是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關的。在800—1250~c的溫度範圍內,用幹氧、溼氧或水汽進行的熱氧化過程有三個持續的階段,首先是環境氣氛中的氧進入到已生成的氧化層中,然後氧通過二氧化矽向內部擴散,當它到達si02-si介面時就同矽發生反應,形成新的二氧化矽。這樣不斷發生著氧的進入—擴散—反應過程,使靠近介面的矽不斷轉化為二氧化矽,氧化層就以一定的速率向矽片內部生長。

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高一化學問題。 10,高一化學問題

1 由加入50ml,4mol l的naoh溶液,正好完全中和可以知道酸中含有的h 物質的量為與oh 是1 1反應的 濃度為。2 生成的baso4物質的量為 也就是說混合酸中含的硫酸 也就是說h 中有0.05 2 的h 是硫酸提供的 剩餘的為硝酸提供的 也就是說含有0.1mol的硝酸 質量為。bacl...

高一化學問題

一 1 w,x,y,z分別是h o na s 2 w2z是由 共價 鍵組成的分子,其電子式為h s h 注 s原子上下還各有1對電子,無法貼上電子式 抱歉,後同 3 由y,x,w組成的物質是由 共價鍵和 離子 鍵組成的 離子 化合物。二 a nh4 b oh c nh3,d h2o,e h3o 三 ...