1樓:匿名使用者
做實驗,不炸幾個不長記性
1)注意防靜電,尤其是mos
2)gto,igbt,gtr這些高壓大電版流的,注意權別弄死自己3) 有條件可以加些保護監控電路,殼溫監測、過流監測等,情況不好直接斷電,保證實驗室中電路保險合格,發生異常可以自動跳閘等等
其他至於炸不炸的,原因很多,驅動,散熱等等,不用太擔心炸的聲音還沒個屁響
2樓:匿名使用者
注意下一致性和工作頻率,就是驅動要搞好,要不一開機沒幾分鐘就炸了
scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝的異同點
3樓:亢秀花表歌
都是通過
pulse
generator
產生驅動信bai號,可du以設定相應的zhi占空比,如scr就可以設定脈衝週期為dao
電源週期1/50,脈衝寬度專為窄脈屬衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
4樓:蒼德文阿衣
做實驗,不炸幾bai個不長記性
1)注du
意防靜電zhi,尤其是
daomos
2)gto,igbt,gtr這些高壓大電流的版,注意別
權弄死自己
3)有條件可以加些保護監控電路,殼溫監測、過流監測等,情況不好直接斷電,保證實驗室中電路保險合格,發生異常可以自動跳閘等等
其他至於炸不炸的,原因很多,驅動,散熱等等,不用太擔心炸的聲音還沒個屁響
scr.gto.gtr功率mosfet。igbt的各自優缺點
5樓:lin夕子
上述提到的器件
都屬於功率開關器件。若按參與導電的載流子是一種還是兩種,可分為單極器件和雙極器件。
其中屬於雙極器件的有:scr、gto、gtr以及igbt;單極器件的是功率mosfet。scr是可控矽整流器,也叫閘流體,主要用在類似於二極體的領域,其與二極體不同的是,正向工作時,可通過門極電流來觸發導通。
而不像是二極體過了導通電壓就能直接導通,但其關斷不能通過門極關斷,而是將電流減小至某個值以下,或是直接的換向關斷。gto是gate turn-off thyristor, 為門極可關斷閘流體,即可以通過控制門極關斷閘流體。
gtr應該是giant transistor,為巨型電晶體,導通工作時要求發射結集電結均正偏,與普通bjt工作類似。以上的器件主要用於大電流,高壓,低頻場合。
而功率mosfet由於是單極型器件,電流處理能力相對較弱,但由於其在開關過程中,沒有載流子儲存的建立與抽取,其頻率特性好,用於高頻低壓領域。
而igbt,為insulated gate bipolar transistor,是絕緣柵雙極場效電晶體,為電壓控制電流,柵控器件,其工作頻率比普通的雙極器件高,電流處理能力比mosfet要強,一般用於中高頻中高壓領域。
電力電子技術問題 scr gto gtr igbt mosfet 對觸發脈衝要求的異同點
6樓:中華之星
都是通過
制 pulse generator 產生驅動訊號,可以設定相應的占空比,如scr就可以設定脈衝週期
為電源週期1/50,脈衝寬度為窄脈衝,為電源週期的5%,脈衝幅值可以取為5~10v,如果設定觸發延遲角α為45度,只需將相位延遲引數設定為2.5ms,可以根據需要自己設定觸發角,不同的電路可能還要設定相應的死區時間,即要留有一定裕度,防止誤導通。
scr、gtr、gto、vmosfet和igbt幾種常用電力電子器件中,按開關頻率從低到高依次排列的順序為:
7樓:咦
這個只能比較大多數情copy況, igbt因為有拖尾現象所以一般頻率不如mos管,超過100khz就算很高了,而vmos就可以更高。 scr頻率就低了一般也就幾百hz,gto比scr高不了多少,gtr稍高可到幾k最多幾十k。 所以:
scr igbt,gtr,vmosfet,scr,gto的開關速度比較?答案 8樓:igbt驅動 gto一般最高只能做到 幾百hz,但功率較大,已達到3000a、4500v的容量。 scr 的頻率一般不超過10khz,電流可以到幾千a,電回壓6000v以上。答 gtr目前其額定值已達1800v/800a/2khz、1400v/600a/5khz、600v/3a/100khz。 igbt的頻率一般不會超過100khz,但高頻效能比gtr好。 mosfet 的頻率理論上可以做到1mhz(1000khz),應用範圍比較多的頻率段應該為幾百khz左右。 所以排序大概為:gto 另外,設計電路中選擇功率器件不能只考慮頻率,還有如開關損耗、驅動電路的設計、電流電壓等級,所以說這是個折衷考慮的結果。 scr、gto、gtr、mosfet、igbt驅動波形 9樓:小ty呀 驅動最好是理想的方波! 所以你的波形越接近方波越好! 電力電子scr,gto,mosfet,gtr,igbt對觸發脈衝要求的異同點
50 10樓:tang破曉 igbt驅動電路的特點是:驅動電路具有較小的輸出電阻,igbt是電壓驅動型器件,igbt的驅動多採用專用的混合整合驅動器。 gtr驅動電路的特點是: 驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿,並有一定的過衝,這樣可加速開通過程,減小開通損耗;關斷時,驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流,並加反偏截止電壓,以加速關斷速度。 gto驅動電路的特點是:gto要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導通期間施加正門極電流,關斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。 電力mosfet驅動電路的特點是:要求驅動電路具有較小的輸入電阻,驅動功率小且電路簡單。 電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請盡量稍微的詳細點 11樓:理科女 gto(門級可關斷閘流體):全控型器件 電壓、電流容量大,適用於大功率場合,具專有電導調製效應,其屬通流能力很強 電流關斷增益很小,關斷時門極負脈衝電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路複雜,開關頻率低 gtr(電力電晶體)耐高壓,電流大開關特性好mosfet(電力場效應電晶體)驅動電路簡單,需要驅動功率小,開關速度快,工作頻率高,熱穩定性高於gtr但是電流容量小 igbt(絕緣柵雙極電晶體)它綜合了gtr和mosfet的優點,具有電導調製效應,其通流能力很強,但是開關速度較慢,所需驅動功率大,驅動電路複雜。 望採納~~ 12樓:匿名使用者 igbt 開關速bai度高,開關損耗du小,具有耐脈衝電流衝擊的能zhi力,通態壓降較低,輸dao入阻抗高,為電版壓驅動,驅動功率小 開關權速度低於電力mosfet,電壓,電流容量不及gto gtr 耐壓高,電流大,開關特性好,通流能力強,飽和壓降低 開關速度低,為電流驅動,所需驅動功率大,驅動電路複雜,存在二次擊穿問題 gto 電壓、電流容量大,適用於大功率場合,具有電導調製效應,其通流能力很強 電流關斷增益很小,關斷時門極負脈衝電流大,開關速度低,驅動功率大,驅動電路複雜,開關頻率低 mosfet 開關速度快,輸入阻抗高,熱穩定性好,所需驅動功率小且驅動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題 電流容量小,耐壓低,一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置 簡單的事情重複做，重複做的事情堅持做，堅持做的事情開心的做。這句話中的重點其實是開心這句，寓意無論生活多麼枯燥，開心最重要。這位朋友你好 你問的這個句話是環環相扣的，如果說要指重點的話，我個人認為是 堅持 二字，因為在學習時不會覺得累，在做的過程中也不覺的煩，但是要日復一日年復一年同樣的事一直做下去... 當然是外貿了啊！做文案策劃很難出頭有大發展的哦！做文案反正是個長久的工作，做外貿相反是比較有挑戰的工作，你要結合你的性格來決定！你要是女孩我建議你選前者，要是男孩那選後者。做外貿好啊，以後自己開外貿公司，堅決支援你轉職 你自己喜歡那個呢，想做什麼 就做什麼,一切隨心而行噢 做外貿很好的 畢竟能夠不斷... 呵呵,我覺得這個問題挺有意思的.其實,沒有分做男生好和做女生好,都一樣.為什麼,因為,在爸爸媽媽的精子與卵子結合的時候,就已經注定了一生的性別.男生和女生都是一樣的,真正不同的就是性別,現在,不是什麼都不分男女了嗎.什麼商品都是男女都能用.工作也不分男女,男人做的女人一樣也能做,女人能做的男人一樣也...「簡單的事情重複做，重複做的事情堅持做，堅持做的事情開心的做」，這句話的重點到底是那個
做外貿與做文案策劃哪個更有前途，做外貿與做文案策劃哪個更有前途？
做男生好還是做女生好，為什麼做男生好還是做女生好，為什麼