功率MOS管過電流能力

2022-05-29 08:12:12 字數 3028 閱讀 2009

1樓:匿名使用者

其實這個引數很難保證的,一般設計時,只能用到1/3~1/2。管腳是銅。要另外加散熱器的!關鍵在於散熱器的散熱面積!

2樓:愛迪貓

這個有時間限制,和集電結燒毀能量有關。

導線載流量一般指安全載流量,具體燒斷電流和散熱、持續時間有關。

這個引數,只說明這個器件可承受短時最大電流,而不是工作電流,供設計可靠性時參考。

3樓:匿名使用者

管腳一般不是限制mos管電流的瓶頸,封裝內部的打線(就是晶元和管腳之間的金屬線,大電流管子鋁線或鋁帶比較多)往往才是限制一些大電流mos管電流能力的瓶頸。mos管的管腳一般是銅鍍錫的,管腳的過電流能力一般遠大於打線的過電流能力。

4樓:音響帝國**

這個問題不能用電工的理論去看,電工的理論銅線電流取6a/mm²,鋁線電流取4amm²,這是短距離的傳輸,以後如果距離加一倍,導線面積也增加一倍。功率管的引線不能這樣看,因為很短,電阻很小,耗的功率為i²r並不大,它也沒有多少熱量,所以不熱也不需要散熱,只有距離長了才有熱量。再有它的標電流是脈衝電,也不是連續的,有效功率要用均方根值計算,應該這樣看。

mos管的最大持續電流是如何確定的?

5樓:鄞家端木文心

1.是用n溝道還是p溝道

。選擇好mos管器件的第一步是決定採用n溝道還是p溝道mos管。在典型的功率應用中,當乙個mos管接地,而負載連線到幹線電壓上時,該mos管就構

成了低壓側開關。在低壓側開關中,應採用n溝道mos管,這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當mos管連線到匯流排及負載接地時,就要用高壓側開

關。通常會在這個拓撲中採用p溝道mos管,這也是出於對電壓驅動的考慮。確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件

的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大於幹線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使mos管不會失效。就選擇mos管而言,必須確定漏極至源

極間可能承受的最大電壓,即最大vds。知道mos管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度範圍內測試電壓的變化範圍。額定

電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍,確保電路不會失效。需要考慮的其他安全因素包括由開關電子裝置(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定

電壓也有所不同;通常,可攜式裝置為20v、fpga電源為20~30v、85~220vac應用為450~600v。

2.確定mos管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,確保所選的mos管能承受這個額定電流,即使在系統產生

尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下,mos管處於穩態,此時電流連續通過器件。脈衝尖峰是指有大量電湧(或尖峰電

流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流後,還必須計算導通損耗。在實際情況

下,mos管並不是理想的器件,因為在導電過程中會有電能損耗,這稱之為導通損耗。mos管在「導通」時就像乙個可變電阻,由器件的rds(on)所確

定,並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由iload2×rds(on)計算,由於導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對mos管施

加的電壓vgs越高,rds(on)就會越小;反之rds(on)就會越高。注意rds(on)電阻會隨著電流輕微上公升。關於rds(on)電阻的各種電

氣引數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。

3. 選擇mos管的下一步是系統的散熱要求。須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實情況。

建議採用針對最壞情況的計算結果,因為這個結果提供更大的安全餘量,能確保系統不會失效。在mos管的資料表上還有一些需要注意的測量資料;器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據這個式子可解出系統的最大功率耗散,即按定義相等於i2×rds(on)。

我們已將要通過器件的最大電流,可以計算出不同溫度下的rds(on)。另外,還要做好電路板

及其mos管的散熱。雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值,並形成強電場使器件內電流增加。晶元尺寸的增加會提高抗雪崩能力,最終提高器件的穩健性。

因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。

4.選擇mos管的最後一步是決定mos管的開關效能。影響開關效能的引數有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/

源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。mos管的開關速度因此被降低,器件效率也下降。為計算開關過

程中器件的總損耗,要計算開通過程中的損耗(eon)和關閉過程中的損壞(eoff)。mosfet開關的總功率可用如下方程表達:psw=

(eon+eoff)×開關頻率。而柵極電荷(qgd)對開關效能的影響最大。

6樓:惡魔復古風

確定mos管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,確保所選的mos管能承受這個額定電流,即使在系統產生 尖峰電流時。

mos管,即在積體電路中絕緣性場效電晶體。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。

mos管的source和drain是可以對調的,都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。

7樓:厙璇庫宜嘉

mos管最大持續電流=mos耐電壓/mos內阻值。

這個是理論計算的最大值。實際一般在最大值的70-80%使用mos管不會有問題。

8樓:揭巍綦翔飛

主要是看datasheet,最大持續電流通過mos管,mos管的結溫不要超過規定值。(主要看你的驅動方式,散熱方式等綜合因素)

反激式開關電源功率mos管的電流應該按照變壓器初級的峰值電流選取嗎?

9樓:匿名使用者

當然,用輸入電壓最低、輸出功率最大時的初級峰值電流,再留一些餘量。

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