mos管怎麼測出哪個d漏極哪個s源極

2021-03-03 23:31:08 字數 2575 閱讀 5961

1樓:匿名使用者

一、因為mos管有bai體二極體,所以:du1、如果是zhinmos,用萬用表二極dao管檔量mos管體二極體導通的兩版腳,正極是權s極,負極是d極,剩下的是g極。

2、如果是pmos,用萬用表二極體檔量mos管體二極體導通的兩腳,正極是d極,負極是s極,剩下的是g極。

二、說明:

1、下圖是用萬用表二極體檔測量二極體的導通及其壓降:

用萬用表二極體檔測量二極體

2、nmos示意圖如下,供分析參考:

nmos

3、pmos示意圖如下,供分析參考:

pmos

mos管併聯,npn型場效電晶體併聯,2個以上的併聯時,d漏極和s源極兩端會微導通,不知道怎麼辦,嘗

2樓:小溪

請配圖提問,否則無法回答你的問題,因為只有npn的三極體,沒有npn的場效電晶體。

3樓:音響帝國**

多個場效電晶體併聯,因為場效電晶體的vgs離散性很大,起始電壓差異也很大,回直接併聯是不行的,答必須用運算放大器進行有源均流,使vgs的差異縮小到1/kv倍,均流後,不但均流、均功耗(均溫),而且還能使輸入輸出線性化

mos管的d漏極和s源極之間連線電阻是起什麼作用

4樓:

這個電阻影響g極電流,即其大小影響mos管開關速度。同時,此電阻阻值也與mos管振鈴現象有關。

再具體的,你可以查下mos管驅動電路的資料

mos管的d漏極和s源極之間連線電阻是起什麼作用啊?

5樓:匿名使用者

小訊號模型中單獨拿出來分析的輸出阻抗

6樓:匿名使用者

洩放電阻,防止靜電擊穿gs結以及把g極可能的殘留電荷導向地。

7樓:匿名使用者

那不是電阻,是二極體,起保護啊

mos管的源極和漏極有什麼區別

8樓:四捨**入

一、指代不同

1、源極:簡稱場效電晶體。t僅是由多數載流子參與導電,與雙極型相反,也稱為單極型電晶體。

2、漏極:利用外部電路的驅動能力,減少ic內部的驅動, 或驅動比晶元電源電壓高的負載。

二、原理不同

1、源極:在一塊n型半導體材料的兩邊各擴散乙個高雜質濃度的p型區(用p+表示),就形成兩個不對稱的p+n結。把兩個p+區併聯在一起,引出乙個電極,稱為柵極(g),在n型半導體的兩端各引出乙個電極。

2、漏極:將兩個p區的引出線連在一起作為乙個電極,稱為柵極,在n型矽片兩端各引出乙個電極。

9樓:匿名使用者

1、區別:源極(source)source資源,電源,中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出,洩漏,中文翻譯為漏極。起發射作用的電極。

2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的,他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的效能。

這樣的器件被認為是對稱的。

10樓:血刺廢車

mos管的定義:場效電晶體的結構是在一塊n型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的p型區域,用p+表示,形成兩個p+n結。n型半導體的兩端引出兩個電極,分別稱為漏極d和源極s。

把兩邊的p區引出電極並連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓,n區中的多子(也就是電子)可以導電。它們從源極s出發, 流向漏極d。

電流方向由d指向s,稱為漏極電流id.。由於導電溝道是n型的,故稱為n溝道結型場效電晶體。

場效電晶體(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常製成對稱的,漏極和源極可以互換使用。

但是有的絕緣柵場效電晶體在製造產品

時已把源極和襯底連線在一起了

,所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出乙個管腳,形成四個管腳。一般情況p襯底接低電位,n襯底接高電位。

11樓:匿名使用者

對於絕緣柵nmos管,接高壓為漏端,接低壓為源端。pmos剛好相反。從原理上,nmos載流子是電子,由低電壓處提供,所以低壓端稱源端,pmos載流子是空穴,由高壓處提供,所以高壓端稱源端。

12樓:一梔穿雲箭

源極: 引入載流子

漏極: 漏出載流子

mos管漏極與源極的電壓反接有什麼用

13樓:綠色匯金

mos管,如果漏極與源極的電壓反接,就是當作二極體來用了。

mos管,漏極和源極之間反並有一寄生二極體。

14樓:說不得的

這是個好問題,我也有過這個疑問,但是提問者既然領悟到了就該說出來與大家專

分享。我想之所屬以有d,s之分,是因為是s的一級與電源共地(如此才能構成迴路,而且是在內部已經有連線完成,注意g也和地相連),所以有d,s之分。

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