可以用電解電容代替旁路電容嗎

2022-04-04 03:16:00 字數 5045 閱讀 6348

1樓:爵爺

常用電容器

鋁電解電容器

用浸有糊狀電解質的吸水紙夾在兩條鋁箔中間捲繞而成,薄的化氧化膜作介質的電容器.因為氧化膜有單向導電性質,所以電解電容器具有極性.

容量大,能耐受大的脈動電流

容量誤差大,洩漏電流大;普通的不適於在高頻和低溫下應用,不宜使用在25khz以上頻率

低頻旁路、訊號耦合、電源濾波

鉭電解電容器

用燒結的鉭塊作正極,電解質使用固體二氧化錳

溫度特性、頻率特性和可靠性均優於普通電解電容器,特別是漏電流極小,貯存性良好,壽命長,容量誤差小,而且體積小,單位體積下能得到最大的電容電壓乘積

對脈動電流的耐受能力差,若損壞易呈短路狀態

超小型高可靠機件中

薄膜電容器

結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質

頻率特性好,介電損耗小

不能做成大的容量,耐熱能力差

濾波器、積分、振盪、定時電路

瓷介電容器

穿心式或支柱式結構瓷介電容器,它的乙個電極就是安裝螺絲。引線電感極小,

頻率特性好,介電損耗小,有溫度補償作用

不能做成大的容量,受振動會引起容量變化

特別適於高頻旁路

獨石電容器(多層陶瓷電容器)

在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合後一次繞結成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成

小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器,高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的效能,體積極小,q值高

容量誤差較大

雜訊旁路、濾波器、積分、振盪電路

紙質電容器

一般是用兩條鋁箔作為電極,中間以厚度為0.008~0.012mm的電容器紙隔開重疊捲繞而成。

製造工藝簡單,**便宜,能得到較大的電容量

一般在低頻電路內,通常不能在高於3~4mhz的頻率上運用。油浸電容器的耐壓比普通紙質電容器高,穩定性也好,適用於高壓電路

微調電容器(半可變電容器)

電容量可在某一小範圍內調整,並可在調整後固定於某個電容值。

瓷介微調電容器的q值高,體積也小,通常可分為圓管式及圓片式兩種。

雲母和聚苯乙烯介質的通常都採用彈簧式東,結構簡單,但穩定性較差。

線繞瓷介微調電容器是拆銅絲〈外電極〉來變動電容量的,故容量只能變小,不適合在需反覆除錯的場合使用

陶瓷電容器

用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,並用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極製成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。

具有小的正電容溫度係數的電容器,用於高穩定振盪迴路中,作為迴路電容器及墊整電容器。

低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的迴路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈衝電路中,因為它們易於被脈衝電壓擊穿。

高頻瓷介電容器適用於高頻電路

雲母電容器

就結構而言,可分為箔片式及被銀式。被銀式電極為直接在雲母片上用真空蒸發法或燒滲法鍍上銀層而成,由於消除了空氣間隙,溫度係數大為下降,電容穩定性也比箔片式高。

頻率特性好,q值高,溫度係數小

不能做成大的容量

廣泛應用在高頻電器中,並可用作標準電容器

玻璃釉電容器

由一種濃度適於噴塗的特殊混合物噴塗成薄膜而成,介質再以銀層電極經燒結而成"獨石"結構

效能可與雲母電容器媲美,能耐受各種氣候環境,一般可在200℃或更高溫度下工作,額定工作電壓可達500v,損耗tgδ0.0005~0.008

電容器:電子裝置中充當整流器的平滑濾波、電源和退耦、交流訊號的旁路、交直流電路的交流耦合等的電子元件稱為電容器。電容器包括固定電容器和可變電容器兩大類,其中固定電容器又可根據所使用的介質材料分為雲母電容器、陶瓷電容器、紙/塑料薄膜電容器、電解電容器和玻璃釉電容器等;可變電容器也可以是玻璃、空氣或陶瓷介質結構。

打字不易,如滿意,望採納。

2樓:小龍工作室

按你這個標的.可以了.雖然少了點容量.但是旁路電容對這點容量還是沒多少要求的,.

3樓:數螞蟻

不可以,電解電容有方向,分正負極,接反了容易出現問題甚至**.另外就是體積大,對高密度pcb佈線來說,占用空間比較大.但是因其電容值大(電解電容的真正價值所在),一般沒有其他電容可以替代.

其他就沒有什麼特殊地方了.

用電解電容代替其他電容時,要注意正負極的連線正確;但用普通電容來代替電解電容的話,只要其電容值相同,就沒有什麼不可以.

4樓:安全護航

容量小了點,只能大,不能小。

旁路電容的作用是啥

5樓:億佰特物聯網專家

旁路電容(bypass電容):用於導通或者吸收某元件或者一組元件中交流成分的一種電容。通常交直流中的交流部分被去除,而允許直流部分通過加有旁路電容的元件。

6樓:匿名使用者

好友楊龍發表日誌:去耦電容和旁路電容的區別旁路電容實也是去藕合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關雜訊提高一條低阻抗洩防途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據諧振頻率一般是0.

1u,0.01u等,而去耦合電容一般比較大,是10u或者更大,依據電路中分布引數,以及驅動電流的變化大小來確定。

去耦和旁路都可以看作濾波。去耦電容相當於電池,避免由於電流的突變而使電壓下降,相當於濾紋波。具體容值可以根據電流的大小、期望的紋波大小、作用時間的大小來計算。

去耦電容一般都很大,對更高頻率的雜訊,基本無效。旁路電容就是針對高頻來的,也就是利用了電容的頻率阻抗特性。電容一般都可以看成乙個rlc串聯模型。

在某個頻率,會發生諧振,此時電容的阻抗就等於其esr。如果看電容的頻率阻抗曲線圖,就會發現一般都是乙個v形的曲線。具體曲線與電容的介質有關,所以選擇旁路電容還要考慮電容的介質,乙個比較保險的方法就是多並幾個電容。

去耦電容在積體電路電源和地之間的有兩個作用:一方面是本積體電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻雜訊。數位電路中典型的去耦電容值是0.

1μf。這個電容的分布電感的典型值是5μh。0.

1μf的去耦電容有5μh的分布電感,它的並行共振頻率大約在7mhz左右,也就是說,對於10mhz以下的雜訊有較好的去耦效果,對40mhz以上的雜訊幾乎不起作用。1μf、10μf的電容,並行共振頻率在20mhz以上,去除高頻雜訊的效果要好一些。每10片左右積體電路要加一片充放電電容,或1個蓄能電容,可選10μf左右。

最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來的,這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格,可按c=1/f,即10mhz取0.

1μf,100mhz取0.01μf。

旁路是把輸入訊號中的干擾作為濾除物件,而去耦是把輸出訊號的干擾作為濾除物件,防止干擾訊號返回電源,這應該是他們的本質區別。

7樓:善韻磬

對交流訊號而言,從旁路電容流回的地;因為電流總是走最近最小電阻的實際物理路徑的,也就是會自動選擇最近最小電阻的旁路電容流回到地。控制了電流的實際物理迴路,也就減少了電流流到不需要的地方,就能消除因此而產生的訊號疊加干擾。所以旁路電容通常還會和電阻一起組成阻容退偶電路,控制電路中不同部分的訊號迴路的物理路徑,減少干擾。

關於旁路電容和耦合電容

8樓:匿名使用者

問題還真的多!!!

一、文中去耦電容的作用是濾除xmhz以下的雜訊還是以上的,如果是以下的話它是否起到訊號低通到地的作用?

對低通的影響幾呼沒有

二、文中說到的1uf以及10uf濾除20mhz雜訊是濾除20mhz以上還是以下?

是以下三、文中還提到根據c=1/f選用耦合電容,10mhz選用0.1uf,100mhz選用0.01uf,好想和20mhz選用1uf以及10uf有矛盾,這是為什麼?。。

10μf的作用是蓄能

9樓:匿名使用者

第乙個問題,我不同意樓上的。文中的意思是高頻時電容有等效感抗,而且非常大。對於10m以上的超高頻分量,電容是抗性的,不起作用。

濾掉的應該是10mhz以下的高頻雜訊。不過它仍然是低通的,或者說是帶阻的。

其它同意。

10樓:手機使用者

力敏電阻簡介

力敏電阻是利用半導體材料的壓力電阻效應(壓力電阻效應指半導體材料的電阻率隨機械應力的變化而變化的效應)製成的,是一種阻值隨壓力變化而變化的電阻,國外稱為壓電電阻器。力敏電阻主要用於各種張力計、轉矩計、加速度計、半導體傳聲器及各種壓力感測器中。

力敏電阻主要有矽力敏電阻、硒碲合金力敏電阻等,相對而言,合金電阻器靈敏度更高。

引自:e點城

將兩個電解電容逆串 (即正極與正極相連,負極與負極相連),逆串後併聯在開關的兩端,請問其作用是什麼?

11樓:

此為去藕電容

1)旁路

旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件,它能使穩壓器的輸出均勻化,降低負載需求。 就像小型可充電電池一樣,旁路電容能夠被充電,並向器件進行放電。 為儘量減少阻抗,旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。

這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和雜訊。地彈是地連線處在通過大電流毛刺時的電壓降。

2)去藕

去藕,又稱解藕。 從電路來說, 總是可以區分為驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大, 驅動電路要把電容充電、放電, 才能完成訊號的跳變,在上公升沿比較陡峭的時候, 電流比較大, 這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流,由於電路中的電感,電阻(特別是晶元管腳上的電感,會產生**),這種電流相對於正常情況來說實際上就是一種雜訊,會影響前級的正常工作,這就是所謂的「耦合」。

去藕電容就是起到乙個「電池」的作用,滿足驅動電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。

將旁路電容和去藕電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去藕合的,只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關雜訊提高一條低阻抗洩防途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據諧振頻率一般取0.

1μf、0.01μf 等;而去耦合電容的容量一般較大,可能是10μf 或者更大,依據電路中分布引數、以及驅動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入訊號中的干擾作為濾除物件,而去耦是把輸出訊號的干擾作為濾除物件,防止干擾訊號返回電源。

這應該是他們的本質區別。

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