1樓：匿名使用者
如果開關速度不高的話，微控制器可以直接驅動mos 管，速度高時加一級普通三極體放大。
因大功率場效電晶體柵極理論上不需要電流，但高速工作時，柵極電容（可達幾千皮法）需快速充放電，因此會需消耗數毫安至幾十毫安電流。
2樓：南巷阿金
微控制器與m0s管之間加一級推動，用三極體或ic都可以。
3樓：匿名使用者
用放大電路啊，三極體與場效電晶體都可以
4樓：匿名使用者
先用微控制器驅動三極體，然後用三極體去驅動mos管
5樓：匿名使用者
用過三極體 光耦 還有像ir2110晶元等
3.3v微控制器經過圖騰柱電路驅動mos。請大俠幫忙看下電路
6樓：
兩圖都能在低速下工作，
但下圖的q11集電結功耗偏大且不可控，會發熱並可能容易燒掉。
兩圖高速都不理想，上圖開通70n03的速度太慢，下圖 關斷7n03的速度太慢。
勉強要用這兩圖之一的話，建議選上圖，把 r16改為1k或幾百歐，r17也可以小一些（例如2~5k），這樣 開通70n03的速度會快一點
求乙個微控制器控制mos管的電路圖
7樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞乙個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
8樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是乙個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞乙個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp乙個用於mos開啟驅動，乙個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的乙個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻雜訊係數nf
雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使乙個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
雜訊效能的大小通常用雜訊係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小
低頻雜訊係數是在低頻範圍內測出的雜訊係數
場效電晶體的雜訊係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
9樓：love肖工
直接pwm輸出口接乙個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接乙個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接乙個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供乙個通道給g極放電，加速關斷。
10樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
微控制器如何控制mos管
11樓：
如果是普通的開關的話（頻率很低）
直接用個三極體就可以驅動
如果考慮兩級電壓的影響的話（emc），
也可以使用光耦。
如果用在頻率比較高的場合：
如:pwm ,spwm 發生等，
則需使用專用的驅動晶元
高速光耦，
或者是圖騰柱輸出電路等。
關於這方面的資料
建議看看《開關電源設計》中的mosfet的驅動電路一章。
微控制器輸出的pwm波可以直接驅動buck電路中開關管irf3205的開和關嗎？
12樓：風之_鏡花水月
直接驅動不行的，我以前做buck電路用的是三極體驅動電路，效能很好。前一級電壓放大，後一級推挽式輸出電流放大，有很大的驅動能力，速度也跟得上，vc、vgs、vds三者可以相同，具體看情況取值，三極體可選ss8050和ss8550。
13樓：匿名使用者
irf3205是nmos管。 buck電路的話開關管在高位。所以要把驅動訊號的0電位浮動到s端，且驅動電壓夠高才可以，因此是不可能直接用微控制器的pwm去驅動的。
ir2103是用來驅動半橋的（圖騰柱方式，高階占空比必須小於100%，才可以驅動），不可以單獨驅動高位的n管，tps2813沒用過。
建議用 脈衝變壓器做乙個隔離電源給驅動電路供直流電（10或15v），pwm則通過高速光耦隔離後給驅動電路，用ir2103的低端驅動。或者用4000的邏輯門直接驅動的話應該也可以做到四五十a。
14樓：匿名使用者
當然不可以了 需要加驅動電路
mos管用於開關電路時候g極有必要串聯電阻嗎？
15樓：匿名使用者
串電阻是防止振盪。如果你直接用io驅動，驅動電流最大也就20ma,電阻太大不合適。普通使用做開關控制，建議不要超過100歐。
另外，如果你的驅動頻率很高，這個電阻必須減小，甚至改為0歐也是可行。
頻率100k以上，必須使用專門的驅動電路（比如，圖騰柱方式）或者mos管專用驅動ic，不然的話mos管容易燒毀。
下拉電阻是防止g極殘餘電壓誤導通，不可太大或太小，10k到47k都可以。
新人求教，微控制器輸出pwm波經放大電路控制mos管開關電路
16樓：匿名使用者
微控制器的高電平達到5v，可以驅動mos管，無需放大
17樓：
你需要ir2104或類似的mos驅動晶元，單純用微控制器電平驅動實際操作可行，但電路上不嚴謹，因為mos的門極需要反壓才能可靠關斷，如果不想用積體電路，可以考慮圖騰柱電路驅動
18樓：電子技術生涯
最好是放大到12伏，深度導通
19樓：老闆來碗炒粉幹
微控制器基本上都可以直接驅動mos ，不需要放大電路
驅動模組的5v供電應該接微控制器哪裡
5v供電？如果是給驅動模組電源的話，可以接到微控制器的vcc上，如果是驅動模組的訊號線的話，那就接到io口上唄，樓主說的太模糊 一是可以在實驗板 多孔板 放好晶元後，用電線進行連線，這種方法適合作實驗，電路不太複雜的 二是在腐銅板上根據設計好的電路自己用漆什麼的畫電路，然後用三氯化鐵進行腐蝕進行製作...
用微控制器控制5V繼電器來驅動24V電磁閥，微控制器受到電磁閥的干擾，當電磁閥關閉時微控制器就不按程式走
您好 最好的辦法是5v電源和24v電源完全隔離，相互之間沒有電氣連線 如果做不到5v和24v電源隔離，那麼就要做許多處理，1 24v電磁閥線圈和5v繼電器線圈兩端都要反並聯二極體 二極體負接電源 另外電磁閥兩端最好也並聯rc吸收回路 如1k電阻和103電容串聯 2 5v和24v電源之間串聯大電感 功...
用51微控制器驅動5V繼電器，中間的光耦選什麼型號的
驅動個數不多的話，用6n137 驅動的個數多的話，用tlp521 綜合 什麼的再自己決定。51微控制器驅動24v繼電器,選用什麼型號的光耦?最好電流在500ma左右 光耦後面都會接三極體驅動繼電器的，因此光耦選擇餘地比較大，一般pc817就可以，特別廉價。三極體可以選用8050等。一般都是光耦加三極...