太陽能多晶矽電池片廢水有哪些

2023-09-08 01:53:24 字數 2627 閱讀 6597

1樓:匿名使用者

矽料生產廢水主要來自多晶矽廢水、切片廢水和有機矽廢水,由於在生產過程中需要對含矽原料用氫氟酸、鉻酸、硝酸、鹽酸等強酸進行適當的腐蝕,因此產生大量的含氟酸鹼廢水。該類廢水 ph 值低, 含氟量高, 並含有一定量的色度和懸浮物, 且水量、水質的變化幅度大,處理難度大。

2樓:匿名使用者

有機廢水,含f廢水。而後者會受到環保部門的嚴格監管。。

3樓:深圳巨集森環保

多晶矽以單質矽的形態存在,在過冷條件下凝固時以金剛石晶格形態排列成許多晶核,眾所周知多晶矽是太陽能電池的重要原料,而隨著新能源的發展越來越迅速,晶矽加工企業也在迅速的發展起來,在多晶矽半導體工業發展的同時也帶來了工業廢水的問題。

今天針對於多晶矽加工廠的廢水應該怎麼處理進行乙個簡單的廢水處理講解:

半導體多晶矽加工廠廢水處理的難點主要包括以下幾點:

1、廢水主要汙染物為氫氟酸、矽粉、碳化矽、聚乙二醇等;

2、廢水的bod和cod含量高;

3、富含副產品—四氯化矽;

因此在多晶矽加工廢水處理中往往需要採用組合工藝,多晶矽加工廠的廢水處理工藝流程大致為:

在多晶矽加工廢水處理系統中設定調節池,在調節池中對多晶矽加工廢水進行收集,均均水質水量。 然後進入助凝。沉澱池,加入水處理藥劑,將泥水進行分離,分離後的上清液進入後續的催化氧化池內。

催化氧化池內進行生化處理,採用臭氧-雙氧水聯合催化氧化技術,催化氧化提高了廢水生化性。催化氧化後進入水解酸化池,廢水在水解池通過水解酸化作用,大分子的有機物被水解成易於被後續好氧菌所降解的小分子有機物,從而使汙水的可生化性和生化去除效果大幅度提高,使得好氧段有較高的cod去除率。

以上是整理的關於多晶矽加工廠的廢水處理難點以及處理方法。

矽用於製造太陽能電池

4樓:強時問姍姍

a、滲兆太陽能電池板。

的材料是單質矽,即矽可以用於製造太陽能電池,故a正確;

b、光導並喊毀纖維。

的主要成分為二氧化矽。

即二氧化矽能製造光導纖維,故b正確;

c、石墨能導電,是良好的導體,故c錯誤;

d、石英晶體有較好的折光率,能用於製造光學儀器,故d正確.故絕備選c.

晶體矽太陽能電池的電池材料

5樓:陸妙之馬巍

1、矽太陽能電池;

2、以無機鹽如砷化鎵iii-v化合物、碲化鎘、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池;

3、功能高分子材料製備的太陽能電池;

4、奈米晶矽太陽能電池等。

對太陽能電池材料一般的要求。

1、半導體材料的禁帶不能太寬;

2、要有較高的光電轉換效率;

3、材料本身對環境不造成汙染;

4、材料便於工業化生產且材料效能穩定。

單晶矽可用於製造太陽能電池

6樓:李本雪若英

a.矽為良好的半導體材料,二氧化矽具有對光的全反射作用,則高純度的單晶矽可用於製造太陽能電磨態悄池板,而二氧化硫為光導瞎渣纖維的材料,故a錯誤;

b.石油可以通過裂解、裂化等化學變化獲得重要化工原料乙烯,故b錯誤;

c.雞蛋清和澱粉溶液都屬閉型於膠體,硫酸銅溶液能使雞蛋清發生變性,使澱粉溶液發生聚沉,故c錯誤;

d.植物油中由於含有碳碳雙鍵,易被氧化而變質,因此在空氣中長時間放置容易氧化變質,故d正確;

故選d.

太陽能電池為什麼單晶矽

7樓:匿名使用者

因為單晶矽是半導體,在受熱是既有金屬的導熱性,又有分非金屬的性質。

晶體矽太陽能電池的電池材料

8樓:手機使用者

基於以上幾個方面考慮,矽是最理想的太陽能電池材料,這也是太陽能電池以矽材料為主的主要原因。但隨著新材料的不斷開發和相關技術的發展,以其它材料為基礎的太陽能電池也愈來愈顯示出誘人的前景。本文簡要地綜述了太陽能電池的種類及其研究現狀,並討論了太陽能電池的發展及趨勢。

多晶矽太陽能電池的發展原因

9樓:仔愛鬼

重心已由單晶向多晶方向發展,主要原因為;[1]可**太陽電池的頭尾料愈來愈少;[2] 對太陽電池來講,方形基片更合算,通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶矽可直接獲得方形材料;[3]多晶矽的生產工藝坦悔前不斷取得進展,全自動澆鑄爐每生產週期(50小時)可生產200公斤以上的矽錠,晶粒的尺寸達到厘公尺級;[4]由於近十年單晶矽工藝的研究與發展很快,其中工藝也被應用於多晶矽電池的生產,例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極,採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微公尺,高度達到15微公尺以上,快速熱退火技術用於多晶矽的生產可大大縮短工藝時間,單片熱工序時間可在一分鐘之內完成,採用讓清該工藝在100平方厘公尺的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14%。據報道,在50~60微公尺多晶矽襯底上製作的電池效率超過16%。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘公尺多晶上效率超過17%,無機械刻槽在同樣面積上效率達到16%,採用埋柵結構,機械前純刻槽在130平方厘公尺的多晶上電池效率達到。

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