1樓：
igbt是復合管，相對mos工作電壓要高，導通時壓降稍大點
mosfet和igbt相比較，在全橋開關電源中應用，有什麼區別呢？ fdsfs
2樓：匿名使用者
mosfet 具備快速，驅動容易的特點，適用於中小功率、頻率較高的場合；
igbt兼有mosfet和雙極專型管的有點，大電流是飽和屬電壓比mosfet低，損耗較小。驅動為電壓驅動，故此大功率的場合使用的很普遍。
可控矽、mosfet、igbt、gto是電壓觸發還是電流觸發，它們在作用上有什麼區別與聯絡
3樓：杰哥的
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，。
但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。
igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
擴充套件資料
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由乙個pnp管和乙個npn管所組成，其等效**如右圖所示。雙向可控矽：雙向可控矽是一種矽可控整流器件，也稱作雙向閘流體。
這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如ibm使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程。
而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵，因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造mosfet元件。
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