閘流體型號的標識意義與識別方法

2021-03-04 00:23:39 字數 2853 閱讀 6582

1樓:匿名使用者

b 為矽材料,t為大功率閘流體,169為登記序號。

其它的閘流體的意義識別也是有方法的:國產閘流體的型號命名(jb1144-75部頒發標準)主要由四部分組成,各部分的含義見下表:

1、第一部分用字母「k」表示主稱為閘流體。

2、第二部分用字母表示閘流體的類別。

3、第三部分用數字表示閘流體的額定通態電流值。

4、第四部分用數字表示重複峰值電壓級數。

拓展資料:

選用可控矽的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,並留出一定的餘量。

1、選用可控矽的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控矽之前,應該用萬用表檢查可控矽是否良好。發現有短路或斷路現象時,應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5a以上的可控矽要裝散熱器,並且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控矽管心接觸良好,它們之間應塗上一薄層有機矽油或矽脂,以幫於良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控矽採用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控矽控制極的正向過載和反向擊穿。

2樓:一起搖擺吧小鳥

國產閘流體的型號命名(jb1144-75部頒發標準)主要由四部分組成,

各部分的含義見下表。

第一部分用字母「k」表示主稱為閘流體。 第二部分用字母表示閘流體的類別。

第三部分用數字表示閘流體的額定通態電流值。

第四部分用數字表示重複峰值電壓級數。

3樓:匿名使用者

1 閘流體(scr)

晶體閘流管簡稱閘流體,也稱為可控矽整流元件(scr),是由三個pn結構成的一種大功率半導體器件。在效能上,閘流體不僅具有單向導電性,而且還具有比矽整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。

閘流體的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點執行,無火花、無雜訊;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率ups供電系統中,閘流體在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。

閘流體的弱點:靜態及動態的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。

閘流體從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。

2普通閘流體的結構和工作原理

閘流體是pnpn四層三端器件,共有三個pn結。分析原理時,可以把它看作是由乙個pnp管和乙個npn管所組成,其等效**如圖1(a)所示,圖1(b)為閘流體的電路

2.2 閘流體的工作條件

由於閘流體只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化,此條件見表1。

表1 閘流體導通和關斷條件

(1)閘流體承受反向陽極電壓時,無論門極承受何種電壓,閘流體都處於關斷狀態。

(2)閘流體承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的情況下閘流體才導通。

(3)閘流體在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,無論門極電壓如何,閘流體保持導通,即閘流體導通後,門極失去作用。

(4)閘流體在導通情況下,當主迴路電壓(或電流)減小到接近於零時,閘流體關斷。

3 閘流體的伏安特性和主要引數

圖2 閘流體伏安特性引數示意圖

(1) 反向特性

當門極g開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),j2結正偏,但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後,同時j3結也擊穿,電流迅速增加,如圖2的特性曲線or段開始彎曲,彎曲處的電壓uro稱為「反向轉折電壓」。此後,閘流體會發生永久性反向擊穿。

(2) 正向特性

當門極g開路,陽極a加上正向電壓時(見圖4),j1、j3結正偏,但j2結反偏,這與普通pn結的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,如圖2的特性曲線oa段開始彎曲,彎曲處的電壓ubo稱為「正向轉折電壓」。

由於電壓公升高到j2結的雪崩擊穿電壓後,j2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子進入n1區,空穴進入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴復合。同樣,進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子復合,雪崩擊穿後,進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部復合掉。

這樣,在n1區就有電子積累,在p2區就有空穴積累,結果使p2區的電位公升高,n1區的電位下降,j2結變成正偏,只要電流稍有增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖2中的虛線ab段。這時j1、j2、j3三個結均處於正偏,閘流體便進入正向導電狀態——通態,此時,它的特性與普通的pn結正向特性相似,如圖2的bc段。

(3) 觸發導通

在門極g上加入正向電壓時(如圖5所示),因j3正偏,p2區的空穴進入n2區,n2區的電子進入p2區,形成觸發電流igt。在閘流體的內部正反饋作用(如圖2)的基礎上,加上igt的作用,使閘流體提前導通,導致圖2中的伏安特性oa段左移,igt越大,特性左移越快。

圖5 陽極和門極均加正向電壓

3.2 閘流體的主要引數

(1)斷態重複峰值電壓udrm

門極開路,重複率為每秒50次,每次持續時間不大於10ms的斷態最大脈衝電壓,udrm=90%ud**,ud**為斷態不重複峰值電壓。ud**應比ubo小,所留的裕量由生產廠家決定。

(2)反向重複峰值電壓urrm

其定義同udrm相似,urrm=90%ur**,ur**為反向不重複峰值電壓。

(3)額定電壓

選udrm和urrm中較小的值作為額定電壓,選用時額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,應能承受經常出現的過電壓。

4樓:匿名使用者

我找到了電晶體型號命名法有中國的和國際的,我已經全部做成**並截圖希望對你有所幫助:

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