LED外延片與晶元，LED外延片和LED晶元的區別

1樓：匿名使用者

第一有的廠家外延片和晶元都做，有的廠家只做其中之一。

led外延片生長的基本原理是：在一塊加 led外延片熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。

外延片做好後，中游晶元廠家就會拿來長電極，然後切割，測試下游封裝廠就拿晶元廠做的led晶元去做封裝。

2樓：春風化雨時

led外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、sic、si)上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前led外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。

led外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的led外延片生長技術、晶元加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。

晶元指內含積體電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子裝置的一部分。

晶元（chip）就是半導體元件產品的統稱。是積體電路（ic, integrated circuit）的載體，由晶圓分割而成。

矽片是一塊很小的矽，內含積體電路，它是計算機或者其他電子裝置的一部分。

3樓：匿名使用者

襯底長好後就是外延片，根據外延片工藝來切割成乙個個晶元，外延片的面積除以單個晶元的面積，就可以估算大體單張外延片可以切割成多少個晶元，乙個晶元就是乙個pn結，採用工藝封裝後即為led

4樓：匿名使用者

外延片和晶元一般是一起做的，外延片是晶元的母體，體積較大，一般是圓形，12英吋，技術水平不同，大小也不同。外延品經過分割以後就可以做出晶元，晶元一般以mil為單位，方形的較多。

5樓：匿名使用者

國內目前做晶元的都是外延片.晶元是統稱(晶元),三安做的很不錯

led外延片和led晶元的區別

6樓：窮神爺

外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，在藍寶石(al2o3)上生長一層結構複雜的gan薄膜（包括n-gan,量子阱,n-gan等），這層薄膜就叫做外延。

而晶元指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶元的主要材料為單晶矽不正確，仍為gan材料。可以說外延是晶元的原材料，晶元就是在外延的基礎上增加了電極（有的晶元還做鈍化膜，反射鏡等等）

誰曉得led外延片和led晶元的區別是什麼

7樓：濟寧鈦浩機械****

外延片指的是在晶體結構匹配的單晶材料上生長出來的半導體薄膜，以gan為例，在藍寶石(al2o3)上生長一層結構複雜的gan薄膜(包括n-gan,量子阱,n-gan等)，這層薄膜就叫做外延。

而晶元指的是把外延進行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應用。晶元的主要材料為單晶矽不正確，仍為gan材料。可以說外延是晶元的原材料，晶元就是在外延的基礎上增加了電極(有的晶元還做鈍化膜，反射鏡等等)。

led襯底、外延片、晶元到底怎麼區分？求祥解

8樓：

1.襯底是指藍寶石晶棒或者是矽經過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。

2.外延片是指經過mocvd加工的**。

外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、sic、si）上，氣態物質ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。

具體流程是襯底 - 結構設計 - 緩衝層生長 - n型gan層生長 - 多量子阱發光層生 - p型gan層生長 - 退火 - 檢測（光螢光、x射線） - 外延片

晶元則是最後的工藝，在外延片上進一步加工的來的。

具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平台圖形光刻→乾法刻蝕→去膠→退火→sio2沉積→視窗圖形光刻→sio2腐蝕→去膠→n極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→p極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶元→成品測試。

9樓：匿名使用者

樓上已經講的很清楚了