1樓:匿名使用者
非線性關係。這也是半導體器件的一大特點。有很多因素,尤其與pn節的導通電壓(閥值)、製造工藝、環境溫度等有很大的關係,既是同一管子,測試條件不同,它顯示的伏安特性曲線也不同,一句話是解釋不完的。
二極體伏安特性電流和電壓的關係是什麼
2樓:匿名使用者
二極體伏安特性曲線
定義:在實際生活中,常用縱座標表示電流i、橫座標表示電壓u,這樣畫出的i-u影象叫做導體的伏安特性曲線。
某乙個金屬導體,在溫度沒有顯著變化時,電阻是不變的,它的伏安特性曲線是通過座標原點的直線,具有這種伏安特性的電學元件叫做線性元件。
歐姆定律是個實驗定律,實驗中用的都是金屬導體。這個結論對其它導體是否適用,仍然需要實驗的檢驗。實驗表明,除金屬外,歐姆定律對電解質溶液也適用,但對氣態導體(如日光燈管、霓虹燈管中的氣體)和半導體元件並不適用。
也就是說,在這些情況下電流與電壓不成正比,這類電學元件叫做非線性元件。
二極體伏安特性曲線加在pn結兩端的電壓和流過二極體的電流之間的關係曲線稱為伏安特性曲線。如圖所示:
正向特性:u>0的部分稱為正向特性。
反向特性:u<0的部分稱為反向特性。
反向擊穿:當反向電壓超過一定數值u(br)後,反向電流急劇增加,稱之反向擊穿。
勢壘電容:耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢壘電容cb。
變容二極體:當pn結加反向電壓時,cb明顯隨u的變化而變化,而製成各種變容二極體。如下圖所示。
pn結的勢壘電容
平衡少子:pn結處於平衡狀態時的少子稱為平衡少子。
非平衡少子:pn結處於正向偏置時,從p區擴散到n區的空穴和從n區擴散到p區的自由電子均稱為非平衡少子。
擴散電容:擴散區內電荷的積累和釋放過程與電容器充、放電過程相同,這種電容效應稱為cd。
結電容:勢壘電容與擴散電容之和為pn結的結電容cj。
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