1樓:麥彎夢
電子顯微分析是利用聚焦電子束與式樣相互作用所產生的各種物理訊號,分析試內
樣物質的微區容形貌、晶體結構和化學組成的分析方法,包括透射電子顯微分析、掃瞄電子顯微分析和電子探針x射線顯微分析。
電子顯微分析的特點
1、可以在極高的放大倍率(最高可達107倍)下直接觀察試樣的形貌、結構,選擇分析區域;
2、具有很高的解析度(透射電子顯微鏡的解析度已達0.2~0.1nm),可直接觀察原子的排列與分布,進行奈米尺度的結構分析和化學成分分析;
3、各種電子顯微分析儀器日益向多功能、綜合化方向發展,可以同時進行形貌、物相、晶體結構和化學成分的綜合分析。
電子顯微鏡分析(tem and sem)是指?
2樓:中地數媒
成功應用(20世紀30年代末期),為30年後(20世紀70年代初期)在地質學中的應用奠定了基礎,更為半個世紀後構造地質學學科的突破性進展創造了極為有利的條件。電子顯微技術的運用,使得構造地質學家得以重新認識眾多構造帶內變質構造巖,尤其是糜稜岩的成因。從而改變了人們在許多方面的傳統認識,也改變了人們在開展構造研究,尤其是變質岩區構造研究時的思維方式。
透射電子顯微鏡(tem,tran**ission electron microscopy):位錯理論提出(1934)20多年後,2023年,科學家首次成功地在變形礦物顆粒內直接觀察到位錯構造的存在。樣品製備技術影響了電子顯微鏡技術的廣泛推廣與應用。
直到70年代初期,離子轟擊減薄技術的應用才推動了對礦物變形微結構的透射電子顯微鏡研究廣泛開展。研究較多的礦物主要是石英、輝石和橄欖石。近來對於碳酸鹽礦物、矽酸鹽礦物及氧化物的研究也在不斷深入。
tem技術對於確定和研究超微域內的微構造特點、研究極細粒物質的顆粒形態與顆粒邊界構造特點是一種非常有用的工具。
tem廣泛應用於觀察與確定變形岩石顆粒的超微構造型式,即位錯構造的特點(見圖1-10,1-11,1-14~1-17)。觀察位錯的基本型別、形態、組合與分布規律;闡述礦物顆粒的主要變形機制、岩石流變學狀態與構造巖的成因;定量確定變形礦物顆粒內自由位錯的密度,進而判斷岩石穩態變形條件,即古差異應力條件;tem有效地用於確定變形礦物晶體內的主要滑移系,滑移系統的burger向量;結合變形條件闡述礦物蠕變的基本規律。
透射電子顯微鏡樣品製備:詳見第一章位錯研究方法。
掃瞄電子顯微鏡(sem,scanning electron microscopy):掃瞄電子顯微鏡是根據電子光學原理,用電子束和電子透鏡代替光束和光學透鏡,使物質的細微結構在非常高的放大倍數下成像的儀器。掃瞄電子顯微鏡利用細聚焦電子束在樣品表面逐點掃瞄,與樣品相互作用產生各種物理訊號,這些訊號經檢測器接收、放大並轉換成調製訊號,最後在螢光屏上顯示反映樣品表面各種特徵的影象。
掃瞄電鏡具有景深大、影象立體感強、放大倍數範圍大、連續可調、解析度高、樣品室空間大且樣品製備簡單等特點,是進行樣品表面研究的有效分析工具。它廣泛應用於地質樣品的微區成分、形貌和取向的綜合分析,適用於構造地質學、岩石學、礦床學、礦物學和地球化學等多學科的研究工作。尤其將ebsd技術與掃瞄電子顯微鏡配置於一體,開展晶格優選組構分析,將會成為推動構造地質學新理論誕生的重要途徑。
掃瞄電子顯微鏡(sem)是顯微構造分析的有效手段(**7-002)。目前已開展研究的方面有:1掃瞄電子顯微鏡應用於成分分析:
與電子探針類似,能夠進行微區成分分析,分析顆粒粒徑可以達數微公尺;2背散射電子影象反映微細礦物顆粒內部成分結構與變化規律,尤其是顆粒的三維形態特點;3二次電子影象觀察細小顆粒的三維形態、顆粒表面或顆粒邊界上的微觀特點;4應用kikuchi band確定微細礦物晶體顆粒或亞晶粒的定向性(晶格方位);5sem陰極發光分析使得能夠更確切地分析變形結構的顯微特點,**岩石變形的微觀機制與變形過程。
掃瞄電子顯微鏡分析樣品製備:掃瞄電子顯微鏡觀察對於樣品要求基於不同的目的,有所差異。開展樣品表面結構和形貌分析,可以使用原位樣品,但樣品需要清潔。
但對於精確的成分分析的樣品,常常需要切製成光片或光薄片,保持表面平整、整潔。對於非導電樣品,需要鍍金或噴碳以獲得更好的觀察和分析效果。新型日立鎢燈絲掃瞄電子顯微鏡的樣品尺寸可以達到:
直徑200mm,高度80mm,可以用來觀察大樣品的表面形態和結構分析。
電子顯微分析技術中,電子的波長有什麼決定 作業
3樓:匿名使用者
電子是實物粒子(靜止質量不為0的微觀粒子),根據德布羅意的物質波理論,實物粒子也具有波粒二象性。實物粒子的波動性可由下方程描述:
上式中:h為布朗克常數,p為粒子的動量,m為粒子的質量,v為粒子的速度。
因此,在任何情況下,電子的波長是由其速度決定的(電子本身的質量是不變的)。
在顯微鏡等利用電子束的裝置中:利用電子槍中陰極所產生的電子在陰陽極間的高壓(25-300kv)加速電場作用下被加速至很高的速度(0.3-0.
7倍光速)。也即通過控制電場強度,控制電子的速度,進而控制電子的波長。
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